最近，国内外接连3家SiC企业获得融资，合计融资资金超1亿元。

近日，据“浑璞投资”消息，优睿谱已宣布完成近亿元A轮融资，本轮融资由基石浦江领投，浑璞投资等跟投。本轮融资将用于新产品的研发及量产。

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优睿谱成立于2021年，是一家半导体前道量测设备研发商，致力于打造高品质的半导体前道量测设备。

2022年12月，优睿谱首台国产碳化硅外延膜厚测量FTIR设备Eos 200Lite正式交付客户。目前，该设备已获得多家头部碳化硅基外延厂订单。

此外，其用于硅基外延片外延层厚度和元素浓度测量设备也已获得多家头部硅基外延厂和FAB厂订单。

7月5日，瑞能半导发布公告称，因业务发展需要，他们拟投资5000万元到中电化合物。本次增资后，瑞能半导在中电化合物的持股比例为 1.4663%。

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瑞能半导主要从事功率半导体分立器件的研发、生产和销售，是一家拥有芯片设计、晶圆制造、封装设计的一体化经营功率半导体企业。

据“行家说三代半”此前报道，2022年9月，瑞能半导子公司瑞能微恩的第三代半导体项目举行了建设开工仪式。该项目计划投资9.4亿元，主要建设6寸晶圆生产线，预计2025年可达满产，实现年产能12万片，瑞能微恩还将计划建设二期项目。

中电化合物成立于2019年11月，聚焦大尺寸、高性能的碳化硅和氮化镓外延材料的研究、开发、生产和销售。

就在上个月，中电化合物与韩国Power Master公司签署了包括8吋SiC材料的长期供应协议（.点这里.）；中电化合物董事潘尧波在南沙某论坛上表示，今年8月份，他们第一批8英寸碳化硅外延片将会向客户交货。

值得一提的是，中电化合物已参编《2023碳化硅（SiC）产业调研白皮书》，届时白皮书将公布更多该企业的产业动态、技术进展。

6月30日，日本工业制造商荏原柔通宣布，他们已投资SiC企业Nexfi科技，投资金额为5000万日元（251.6万元人民币）。Nexfi科技将利用此次募集的资金，以开发超过10kV的高压高速碳化硅开关模块与高压器件电源。

据悉，Nexfi成立于2021年7月，位于日本大阪大学吹田校区，主要生产和销售SiC高压器件，是一家生产下一代功率半导体器件的初创公司。

目前，Nexfi的核心技术主要涉及高压开关模板和高压电流电源，并将它们与SiC技术相结合：

其中，在高压开关模板方面，Nexfi将SiC应用于开发开关模块技术，通过将耐受电压为1kV级的SiC半导体串联和并联，实现耐受电压超过10kV的高速开关。

在高压直流电源方面，Nexfi将脉冲变压器连接到高频SiC逆变器，使用专有的SiC二极管模块将电压升压至超高电压。Nexfi旗下产品包括从5 kV等离子电源到高达300 kV的加速器电源。

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